碳納米膜制備設(shè)備 LFT1400C 800D802Z
2024-5-21
一、結(jié)構(gòu)簡介
碳納米膜制備設(shè)備如圖所示，由氣體質(zhì)量流量計控制系統(tǒng)、液體注液系統(tǒng)、多段溫度可控多區(qū)生長系統(tǒng)、水冷卻系統(tǒng)、碳納米線或膜收集系統(tǒng)，紅外烘干系統(tǒng)等組成。生長爐的最高溫度1400℃，并可在0-1400℃之間連續(xù)可調(diào)，垂直式分布熱場，三點控溫(三段長度平均分配)，設(shè)備頂部設(shè)有注液口、導(dǎo)流器。爐體采用雙層殼體結(jié)構(gòu)并帶有風(fēng)冷系統(tǒng)，保溫材料為加厚型，殼體表面溫度小于60℃。采用高純氧化鋁管作為爐膛材料，加熱元件為優(yōu)質(zhì)硅碳棒。本款碳納米管或膜CVD設(shè)備可以實現(xiàn)連續(xù)生長不間斷的特點。
二、性能參數(shù)
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型號 |
LFT1400C 800D802Z |
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額定功率 |
18KW |
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額定電壓 |
AC380V |
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最高溫度 |
1400℃ |
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額定溫度 |
1300℃ |
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推薦升溫速率 |
1400℃以下≤10℃/min |
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爐管尺寸 （可根據(jù)客戶要求訂制） |
剛玉管Φ80× 1400mm |
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外型尺寸（長×深×高） |
1680*700*2560mm |
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控溫精度 |
±1℃ |
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極限真空度（選件） |
1.0×10-3Pa（機(jī)械泵+分子泵） |
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加熱元件 |
硅碳棒 |
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重量 |
230KG |
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客戶自配裝空氣開關(guān) |
40A |
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