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碳納米膜制備設(shè)備 LFT1400C 800D802Z

2024-5-21

一、結(jié)構(gòu)簡介

碳納米膜制備設(shè)備如圖所示,由氣體質(zhì)量流量計(jì)控制系統(tǒng)、液體注液系統(tǒng)、多段溫度可控多區(qū)生長系統(tǒng)、水冷卻系統(tǒng)、碳納米線或膜收集系統(tǒng),紅外烘干系統(tǒng)等組成。生長爐的最高溫度1400℃,并可在0-1400℃之間連續(xù)可調(diào),垂直式分布熱場,三點(diǎn)控溫(三段長度平均分配),設(shè)備頂部設(shè)有注液口、導(dǎo)流器。爐體采用雙層殼體結(jié)構(gòu)并帶有風(fēng)冷系統(tǒng),保溫材料為加厚型,殼體表面溫度小于60℃。采用高純氧化鋁管作為爐膛材料,加熱元件為優(yōu)質(zhì)硅碳棒。本款碳納米管或膜CVD設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)生長不間斷的特點(diǎn)。

二、性能參數(shù)

型號(hào)

LFT1400C 800D802Z

額定功率

18KW

額定電壓

AC380V

最高溫度

1400℃

額定溫度

1300℃

推薦升溫速率

1400℃以下≤10℃/min

爐管尺寸

(可根據(jù)客戶要求訂制)

剛玉管Φ8 1400mm

外型尺寸(長×深×高)

1680*700*2560mm

控溫精度

±1℃

極限真空度(選件)

1.0×10-3Pa(機(jī)械泵+分子泵)

加熱元件

硅碳棒

重量

230KG

客戶自配裝空氣開關(guān)

40A

下一條

石墨烯生長設(shè)備

上一條

沒有了

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