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2017/3/21

正文標(biāo)題

我是正文


鍺(Ge

 

簡(jiǎn)介:鍺(Ge)主要制作半導(dǎo)體器件、紅外光學(xué)器件以及太陽(yáng)能電池襯底等材料。

 

性能及參數(shù)

生長(zhǎng)方法

提拉法

晶體結(jié)構(gòu)

立方

晶格常數(shù)

a=5.65754 ?

顏色及外觀(guān)

灰白色

密度

5.323g/cm3

熔點(diǎn)

937.4

莫氏硬度

4mohs

摻雜物質(zhì)

不摻雜

Sb

InGa

類(lèi)型

/

N

P

電阻率

35Ω㎝

0.05Ω㎝

0.050.1Ω㎝

EPD

4×103/cm2

4×103/cm2

4×103/cm2

晶向

<100>、<110>、<111>

晶面定向精度

±0.5°

邊緣定向精度

±1°

斜切晶片

可按照客戶(hù)需求,定制特殊方向

尺寸(可按照客戶(hù)需求,定制特殊尺寸)

10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm、15×15×0.5mm

dia1″×0.5mmdia2″×0.5mm

拋光

單面拋光、雙面拋光等

表面粗糙度

5 ?

包裝

1000級(jí)超級(jí)凈室100級(jí)超凈袋或單片晶盒封裝

下一條

氧化鋅

上一條

沒(méi)有了

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